型号: MCH6662-TL-W
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型: 2 个 N 沟道(双)
FET功能: 逻辑电平栅极,1.8V 驱动
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 160 毫欧 @ 1A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 128pF @ 10V
功率-最大值: 800mW
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-88FL/ MCPH6
封装形式Package: MCPH
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 20V
连续漏极电流ID: 2A
无铅情况/RoHs: 否
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