型号: MCH6662-TL-W
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： 2 个 N 沟道（双）
FET功能： 逻辑电平栅极，1.8V 驱动
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 160 毫欧 @ 1A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 1.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 128pF @ 10V
功率-最大值： 800mW
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-88FL/ MCPH6
封装形式Package： MCPH
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 2A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：陈泽辉
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Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
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