型号: MDD3N50GRH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDD3N50GRH, 2.8 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 2.8 A
最大漏源电压： 500 V
最大漏源电阻值： 2.5 0hms
最大栅阈值电压： 5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
最大功率耗散： 45 W
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
尺寸： 6.73 x 6.22 x 2.39mm
长度： 6.73mm
正向跨导： 4.8S
高度： 2.39mm
典型栅极电荷@Vgs： 6.75 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 285 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 33 ns
典型接通延迟时间： 19 ns
宽度： 6.22mm
正向二极管电压： 1.4V
晶体管材料： Si
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：程颜
电话：18312344020
Q Q:
联系人：赵
Q Q:
联系人：林少贞
电话：13510648762
Q Q:
