型号: MDP10N60GTH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP10N60GTH, 10 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型: N
最大连续漏极电流: 10 A
最大漏源电压: 660 V
最大漏源电阻值: 700 m0hms
最大栅阈值电压: 5V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: TO-220
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
最大功率耗散: 156 W
最低工作温度: -55 °C
长度: 10.67mm
高度: 16.51mm
正向跨导: 9S
正向二极管电压: 1.4V
晶体管材料: Si
最高工作温度: +150 °C
典型输入电容值@Vds: 1360 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 116 ns
典型接通延迟时间: 53 ns
宽度: 4.83mm
尺寸: 10.67 x 4.83 x 16.51mm
每片芯片元件数目: 1
典型栅极电荷@Vgs: 32 nC @ 10 V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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