型号: MJ11022G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： NPN - 达林顿
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 3.4V @ 150mA，15A
电流-集电极截止（最大值）： 1mA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 400 @ 10A，5V
功率-最大值： 175W
工作温度： -65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-204AA，TO-3
封装形式Package： TO-3
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 15A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 250V
直流集电极/Base Gain hfe Min： 100
配置： Single
集电极—发射极最大电压 VCEO： 250 V
发射极 - 基极电压 VEBO： 50 V
安装风格： Through Hole
封装/外壳： Tray
封装/外壳： TO-204-2 (TO-3)
晶体管极性： NPN
最大工作温度： + 150 C
最大直流电集电极电流： 15 A
最小工作温度： - 65 C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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