型号: MJD112G
功能描述: 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
最大直流电集电极电流: 2 A
最大集电极截止电流: 20 uA
Pd-功率耗散: 20 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MJD112
封装: Tube
直流电流增益 hFE 最大值: 12000
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
宽度: 6.22 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 1000
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 75
子类别: Transistors
单位重量: 590 mg
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