型号: MJD112T4
功能描述: 达林顿晶体管 NPN Power Darlington
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
最大直流电集电极电流: 2 A
最大集电极截止电流: 20 uA
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252
最大工作温度: + 150 C
系列: MJD112
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
宽度: 6.2 mm
商标: STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
单位重量: 1.800 g
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