MJD117-1G规格参数_MJD117-1G全国代理商/分销商

型号: MJD117-1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP - 达林顿
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 3V @ 40mA，4A
电流-集电极截止（最大值）： 20µA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 1000 @ 2A，3V
功率-最大值： 1.75W
频率-跃迁： 25MHz
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳： I-Pak
封装形式Package： DPAK-3
极性Polarity： PNP
集电极最大允许电流Ic： 2A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 100V
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装/外壳： TO-252-3 (DPAK)
封装/外壳： Tube
集电极连续电流： 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min： 200, 500, 1000
最小工作温度： - 65 C
配置： Single
晶体管极性： PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V
最大集电极截止电流： 20 uA
功率耗散： 20 W
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs