型号:  MJD117T4G

功能描述:  达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  达林顿晶体管

RoHS:  是

配置:  Single

晶体管极性:  PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:  100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—基极电压 VCBO:  100 V

最大直流电集电极电流:  2 A

最大集电极截止电流:  20 uA

Pd-功率耗散:  20 W

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3 (DPAK)

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  MJD117

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

直流电流增益 hFE 最大值:  12000

高度:  2.38 mm

长度:  6.73 mm

宽度:  6.22 mm

商标:  ON Semiconductor

集电极连续电流:  2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  1000

产品类型:  Darlington Transistors

工厂包装数量:  2500

子类别:  Transistors

单位重量:  351 mg