型号:  MJD117T4

功能描述:  MJD117 Series 100 V 2 A PNP Complementary Power Darlington Transistor - TO-252-3

制造商:  STMicroelectronics

晶体管类型：  PNP - 达林顿

Current-Collector(Ic)(Max)：  2A

Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)：  100V

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  3V @ 40mA，4A

电流-集电极截止（最大值）：  20µA

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  1000 @ 2A，3V

Power-Max：  1.75W

频率-跃迁：  25MHz

工作温度：  -65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  DPAK-3

最高工作温度：  + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

系列：  MJD117T4

品牌：  STMicroelectronics

200：  直流集电极/增益 hfe 最小值

标准包装数量：  2500

RoHS：  符合 RoHS

配置：  Single

晶体管极性：  PNP

集电极-发射极最大电压VCEO：  100 V

发射机-基极电压VEBO：  5 V

集电极最大直流电流：  2 A

集电极最大截止电流：  20 uA

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs