型号: MJD117ITU
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
直流集电极/Base Gain hfe Min: 500 at 0.5 A at 3 V
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: IPAK
封装: Tube
最小工作温度: - 65 C
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