型号: MJD31T4
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 25 at 1 A at 4 V
配置: Single
最大工作频率: 3 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
封装: Reel
集电极连续电流: 3 A
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 1.56 W
工厂包装数量: 2500
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