型号: MJE800G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： NPN - 达林顿
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 2.5V @ 30mA，1.5A
电流-集电极截止（最大值）： 100µA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 750 @ 1.5A，3V
功率-最大值： 40W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-225AA
封装形式Package： TO-225
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 4A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 60V
最小工作温度： - 55 C
直流集电极/Base Gain hfe Min： 100
配置： Single
集电极—发射极最大电压 VCEO： 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V
安装风格： SMD/SMT
封装/外壳： Bulk
封装/外壳： SOIC-14
晶体管极性： NPN
最大工作温度： + 150 C
最大直流电集电极电流： 4 A
最大集电极截止电流： 100 uA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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