型号: MJE800G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: NPN - 达林顿
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值): 2.5V @ 30mA,1.5A
电流-集电极截止(最大值): 100µA
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 750 @ 1.5A,3V
功率-最大值: 40W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-225AA
封装形式Package: TO-225
极性Polarity: NPN
集电极最大允许电流Ic: 4A
集电极_发射极击穿电压VCEO: 60V
最小工作温度: - 55 C
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
安装风格: SMD/SMT
封装/外壳: Bulk
封装/外壳: SOIC-14
晶体管极性: NPN
最大工作温度: + 150 C
最大直流电集电极电流: 4 A
最大集电极截止电流: 100 uA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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