型号: MMBFJ201_G
功能描述: INTEGRATED CIRCUIT
制造商: ON Semiconductor
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）: 40V
漏源电压（Vdss）: 40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）: 200µA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）: 300mV @ 10nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: -
电阻 - RDS（开）: -
功率 - 最大值: 350mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
联系人：蔡小姐
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