型号: MMBTH10LT1
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装: 10
类别: 分立半导体产品
家庭: RF 晶体管(BJT)
系列: -
包装: 剪切带(CT)
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 25V
频率 - 跃迁: 650MHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
增益: -
功率 - 最大值: 225mW
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 60 @ 4mA,10V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
其它名称: MMBTH10LT1OSCT
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