型号: MMIX1T600N04T2
功能描述: IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1T600N04T2, 600 A, Vds=40 V, 24引脚 SMPD封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 600 A
最大漏源电压： 40 V
最大漏源电阻值： 3.28 0hms
最大栅阈值电压： 3.5V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： SMPD
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 24
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 830 W
典型接通延迟时间： 40 ns
典型关断延迟时间： 90 ns
典型输入电容值@Vds： 40000 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 590 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
最高工作温度： +175 °C
高度： 5.7mm
最低工作温度： -55 °C
宽度： 23.25mm
每片芯片元件数目： 1
长度： 25.25mm
正向跨导： 150S
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 25.25 x 23.25 x 5.7mm
系列： GigaMOS, HiperFET
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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