型号: MMRF5017HS-1GHZ
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5017HS-1GHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: GaN SiC
Id-连续漏极电流: 200 mA
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
输出功率: 125 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-400S-2
工作频率: 30 MHz to 2200 MHz
系列: MMRF5017HS
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 154 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.3 V
零件号别名: 935371361598
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