型号: MRF151GB
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 40 A
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-262A
封装: Tray
配置: Dual
工作频率: 175 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散: 500 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 40 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
单位重量: 30 mg
联系人：Alien
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