型号: MRF21180R6
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS NI1230
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, + 15 V
增益: 12.1 dB
输出功率: 38 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230-5
封装: Reel
商标: Freescale Semiconductor
工作频率: 2.11 GHz to 2.17 GHz
Pd-功率耗散: 380 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
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