型号: MRF5812GR2
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： RF 晶体管（BJT）
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 15V
频率 - 跃迁： 5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益： 13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值： 1.25W
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 50 @ 50mA，5V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 200mA
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SO
其它名称： MRF5812GR2TRMRF5812R2MRF5812R2MITRMRF5812R2MITR-NDMRF5812R2TR-ND
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