型号:  MRF6V10010NR4

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

增益:  25 dB

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PLD-1.5

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single Dual Source

高度:  1.83 mm

长度:  6.73 mm

工作频率:  960 MHz to 1400 MHz

系列:  MRF6V10010N

类型:  RF Power MOSFET

宽度:  5.97 mm

商标:  NXP / Freescale

通道模式:  Enhancement

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  100

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.7 V

零件号别名:  935321297531

单位重量:  280 mg