型号: MRF6V12250HSR5
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 110 V
增益: 20.3 dB
输出功率: 27.5 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 0.96 GHz to 1.215 GHz
系列: MRF6V12250H
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
零件号别名: 935317106178
单位重量: 4.763 g
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：ken
Q Q:
联系人：梁
电话：020-89441067
Q Q:
联系人：彭文忠
电话：13546869533
Q Q:
