型号: MRF6V12500HSR5
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 110 V
增益: 18.5 dB
输出功率: 50 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 0.96 GHz to 1.215 GHz
系列: MRF6V12500H
商标: NXP / Freescale
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
零件号别名: 935314145178
单位重量: 4.763 g
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：庄宁宁
电话：15356238540
Q Q:
联系人：马先生
电话：13601075042
Q Q:
联系人：张懿
电话：17727442852
Q Q:
