型号: MRF6V13250HSR5
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
增益: 20 dB
输出功率: 230 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 1.3 GHz
系列: MRF6V13250H
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
Pd-功率耗散: 476 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
零件号别名: 935323152178
单位重量: 4.763 g
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李琼琼
电话：13645939965
Q Q:
联系人：林小姐
电话：18825072898
Q Q:
联系人：朱生
电话：13923832249
Q Q:
