型号: MRF6V2010GNR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 110 V
增益: 23.9 dB
输出功率: 10 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-2
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 450 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
零件号别名: 935321298528
单位重量: 548 mg
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