型号:  MRF6V2150NBR1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Vds-漏源极击穿电压:  110 V

增益:  25 dB

输出功率:  150 W

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-272-4

封装:  Reel

配置:  Single Dual Drain Dual Gate

高度:  2.64 mm

长度:  23.67 mm

工作频率:  220 MHz

系列:  MRF6V2150N

类型:  RF Power MOSFET

宽度:  9.07 mm

商标:  NXP / Freescale

通道模式:  Enhancement

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 0.5 V, 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.62 V

零件号别名:  935316841528

单位重量:  2 g