型号: MRF6V2150NBR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 110 V
增益: 25 dB
输出功率: 150 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-272-4
封装: Reel
配置: Single Dual Drain Dual Gate
高度: 2.64 mm
长度: 23.67 mm
工作频率: 220 MHz
系列: MRF6V2150N
类型: RF Power MOSFET
宽度: 9.07 mm
商标: NXP / Freescale
通道模式: Enhancement
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.62 V
零件号别名: 935316841528
单位重量: 2 g
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：周
Q Q:
联系人：庄培彬
Q Q:
联系人：王小姐
电话：15099911282
Q Q:
