型号: MRF6V3090NBR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 115 V
增益: 22 dB
输出功率: 18 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-4
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 0.47 GHz to 0.86 GHz
系列: MRF6V3090N
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
零件号别名: 935310252528
单位重量: 2 g
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