型号: MRF6V3090NR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 115 V
增益: 22 dB
输出功率: 18 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-272-4
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 0.47 GHz to 0.86 GHz
系列: MRF6V3090N
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
零件号别名: 935321513528
单位重量: 1.646 g
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：李
电话：15019266943
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13925279453
Q Q:
联系人：张先生
电话：19967512226
Q Q:
