型号:  MRF6V2010NR1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Vds-漏源极击穿电压:  110 V

增益:  23.9 dB

输出功率:  10 W

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-270

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single

高度:  2.08 mm

长度:  9.7 mm

工作频率:  450 MHz

系列:  MRF6V2010N

类型:  RF Power MOSFET

宽度:  6.15 mm

商标:  NXP / Freescale

通道模式:  Enhancement

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 5 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.68 V

零件号别名:  935309669528

单位重量:  529.550 mg