型号: MRF6VP3091NBR5
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 115 V
增益: 24 dB
输出功率: 90 W
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-272
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 470 MHz to 860 Mhz
系列: MRF6VP3091N
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
零件号别名: 935319809578
单位重量: 2 g
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:连
电话:18922805453
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:李琼琼
电话:13645939965
联系人:张林
电话:18024788884
联系人:陈安定
电话:18101718660