型号: MRF9100SR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, + 15 V
增益: 16.5 dB
输出功率: 110 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S-3
封装: Reel
商标: Freescale Semiconductor
工作频率: 921 MHz to 960 MHz
Pd-功率耗散: 175 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：温兆武
电话：13418523047
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13975550857
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：18688920974
Q Q:
