型号: MRFE6VP61K25HR5
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 10 uA
Vds-漏源极击穿电压: 133 V
增益: 24 dB
输出功率: 1.25 kW
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 1.8 MHz, 600 MHz
系列: MRFE6VP61K25H
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
Pd-功率耗散: 1.333 kW
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
零件号别名: 935314411178
单位重量: 13.155 g
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