型号: MRFE6VP6300-88
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-88
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 130 V
增益: 26.5 dB
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780
系列: MRFE6VP6300
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 1.05 kW
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
零件号别名: 935372357598
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