型号: MRFE6VP6300HR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 130 V
增益: 26.6 dB
输出功率: 300 W
最小工作温度: - 30 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 1.8 MHz to 600 MHz
系列: MRFE6VP6300
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
Pd-功率耗散: 1.05 kW
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
零件号别名: 935317343128
单位重量: 6.396 g
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