型号: MTB090N06N3
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
制造商: CYSTECH(全宇昕)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.9A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 100mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.25W
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：蔡霞
电话：18124105996
Q Q:
联系人：朱萍菲
电话：17688972605
Q Q:
联系人：陈裕森
电话：13798346909
Q Q:
