型号: MTD6N15T4GV
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 30nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1200pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta），20W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 300 毫欧 @ 3A，10V
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： DPAK
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：金R
电话：15012763805
Q Q:
联系人：龚先生
电话：13510177715
Q Q:
联系人：郑
电话：18090100563
Q Q:
