型号: MTEF1P15AV8
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：680mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：P沟道
制造商: CYSTECH(全宇昕)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -150V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5.4A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 680mΩ @ 1.4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 42W(Tc)
类型: P沟道
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