型号: MW6S004NT1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 68 V
增益: 18 dB
输出功率: 4 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PLD-1.5-3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.83 mm
长度: 6.73 mm
工作频率: 2 GHz
系列: MW6S004NT1
宽度: 5.97 mm
商标: NXP / Freescale
通道模式: Enhancement
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
零件号别名: 935320257515
单位重量: 280 mg
联系人:董先生
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