型号: NAND01GW3B2CN6F
功能描述: Flash Mem Parallel 3.3V 1G-Bit 128M x 8 25us 48-Pin TSOP T/R
制造商: micron
包装： 48TSOP
电池类型： NAND
密度： 1 Gb
建筑： Sectored
块组织： Symmetrical
典型工作电源电压： 3.3 V
扇区大小： 128KByte x 1024
支持页面模式： Yes
定时类型： Asynchronous
工作温度： -40 to 85 °C
接口类型： Parallel
页面大小： 64Word/128Byte
地址总线宽度： 28
典型工作电源电压： 3|3.3
欧盟RoHS指令： Compliant
字数： 128M
引脚数： 48
最低工作温度： -40
供应商封装形式： TSOP
标准包装名称： TSOP
最高工作温度： 85
每字位数： 8
引导块： No
最低工作电源电压： 2.7
最大工作电源电压： 3.6
最大工作电流： 30
最大随机存取时间： 25000
封装： Tape and Reel
编程电压： 2.7 to 3.6
密度： 1G
铅形状： Gull-wing
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈晓玲
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