型号: NAND04GW3B2BN6F
功能描述: 闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 闪存
RoHS: 是
结构: Multiplane
存储类型: NAND
存储容量: 4 Gbit
速度: 30 ns
1000 接口类型: Parallel
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V
电源电流—最大值: 30 mA
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-48
封装: Reel
商标: STMicroelectronics
数据总线宽度: 8 bit
组织: 512 M x 8
系列: NAND04G-B
工厂包装数量: 1500
定时类型: Asynchronous
联系人：Alien
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