型号: NCE55P04S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：82mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：双P沟道
制造商: 无锡新洁能
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 55V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4A
栅源极阈值电压: 3.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 82mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3W
类型: 双P沟道
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