型号: NDD03N60Z-1G
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装: 75
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 管件
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.6A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 312pF @ 25V
功率 - 最大值: 61W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装: I-Pak
其它名称: NDD03N60Z-1G-NDNDD03N60Z-1GOSNDD03N60Z1G
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