型号: NDD03N80ZT4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2.9A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 17nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 440pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 96W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 4.5 欧姆 @ 1.2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 800V
连续漏极电流ID： 2.9A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：谢
电话：15361410429
Q Q:
联系人：李经理
电话：010-62982657
Q Q:
联系人：蔡先生
电话：13692097183
Q Q:
