型号: NDH832P
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 30nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： -8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1000pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 60 毫欧 @ 4.2A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SuperSOT™-8
封装/外壳： 8-SMD，鸥翼
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：雷小姐
电话：13723786377
Q Q:
联系人：韦
电话：18077741230
Q Q:
联系人：苏晓槟
电话：15013660013
Q Q:
