型号: NDS355AN_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 1.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
封装: Reel
下降时间: 32 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.5 W
上升时间: 32 ns
典型关闭延迟时间: 13 ns
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：宁先生
电话：13142358999
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13714809558
Q Q:
联系人：方萍娟
电话：13631525115
Q Q:
联系人：刘丹
电话：13682527286
Q Q:
