型号: NDT02N40T1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 400mA（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 5.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 121pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 5.5 欧姆 @ 220mA，10V
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
封装形式Package： SOT-223
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 400V
连续漏极电流ID： 0.4A
无铅情况/RoHs： 否
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Q Q:
联系人：陈
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Q Q:
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