型号: NE32584C-S
功能描述: ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
制造商: NEC
产品种类: 射频GaAs晶体管
技术类型: pHEMT
频率: 12 GHz
增益: 12.5 dB
噪声系数: 0.45 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 60 mS
漏源电压 VDS: 4 V
闸/源击穿电压: - 3 V
漏极连续电流: 90 mA
最大工作温度: + 150 C
功率耗散: 165 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Micro-X Ceramic (84 C)
封装: Tube
工厂包装数量: 1000
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