型号: NE325S01-T1B
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Super Lo Noise HJFET
制造商: NEC/CEL
制造商: NEC
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NEC/CEL
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
增益: 12.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 4 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 3 V
Id-连续漏极电流: 90 mA
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 165 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-1
封装: Reel
正向跨导 - 最小值: 60 mS
NF—噪声系数: 0.45 dB
工作频率: 12 GHz
工厂包装数量: 4000
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