型号: NE33200M
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: NEC/CEL
制造商: NEC
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
增益: 10.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 4 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 3 V
Id-连续漏极电流: 80 mA
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 240 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CHIP
商标: NEC/CEL
正向跨导 - 最小值: 70 mS
NF—噪声系数: 0.75 dB
工作频率: 12 GHz
P1dB - 压缩点: 12 dBm
联系人：小柯
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Q Q:
联系人：董先生
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联系人：林先生
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