型号: NE33200N
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: NEC/CEL
制造商: NEC
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
增益: 10.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 4 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 3 V
Id-连续漏极电流: 80 mA
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 240 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CHIP
商标: NEC/CEL
正向跨导 - 最小值: 70 mS
NF—噪声系数: 0.75 dB
工作频率: 12 GHz
P1dB - 压缩点: 12 dBm
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：18038127335
Q Q:
联系人：刘晓亮
电话：13164778377
Q Q:
联系人：江先生
电话：13530242692
Q Q:
