型号: NE350184C-T1
功能描述: HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
制造商: CEL
产品种类: 射频GaAs晶体管
技术类型: HEMT
频率: 20 GHz
增益: 13.5 dB
噪声系数: 0.7 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 40 mS
漏源电压 VDS: 4 V
闸/源击穿电压: - 3 V
漏极连续电流: 70 mA
最大工作温度: + 150 C
功率耗散: 165 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Micro-X Ceramic (84 C)
封装: Reel
工厂包装数量: 5000
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